Home 6月25日新闻，专业存储制造商ATP Huate Eat International昨天宣布，两个工业级PCIE 4.0×4 NVME Solid-State Drive N651SI/N651SC的耐用性已从前5000 p/e（这是家庭记录：计划 - 练习酶周期）到11000 P/e的3次P/E以3000 P/e的标准级别增加。 ATP表示，这意味着上述解决方案成为工业级TLC SSD的最高耐用性，建立在512GB NAND软件包上，也是强化工作负载的绝佳选择。 NAND包装的高质量，对NOK IC的严格审查，筛选和验证功能，ATP固件所有权，专门的硬件调整和自我开发技术的综合效果，对11000 p/e的成就是在11000 p/e的背后进行的。 ATP表明，不同的OneSITS测试方法对NAND闪存的记忆的一般指标进行了全面审查 - 阅读/写作操作，耐用性，数据维护Perature行为，读取干扰属性等。ATP的N651SI固体驱动器提供M.2 2280，U.2和EDSFF E1.S外形符号规格，支持-40°C〜85°C工作温度范围；虽然N651SC仅在M.2版本中可用，其工作温度范围为0°C〜70°C。